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參數(shù)資料
型號: SI7945DP-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數(shù): 2/8頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET DL P-CH 30V PPAK 8-SOIC
產(chǎn)品目錄繪圖: 8-SOIC Mosfet Package
標準包裝: 1
FET 型: 2 個 P 溝道(雙)
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 7A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 20 毫歐 @ 10.9A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 74nC @ 10V
功率 - 最大: 1.4W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? SO-8
供應商設備封裝: PowerPAK? SO-8
包裝: 標準包裝
產(chǎn)品目錄頁面: 1666 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: SI7945DP-T1-GE3DKR
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