| 型號： |
SI7998DP-T1-GE3 |
| 廠商： |
Vishay Siliconix |
| 文件頁數(shù)： |
11/14頁 |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述： |
MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK 8SOIC |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1 |
| 系列： |
TrenchFET® |
| FET 型： |
2 個 N 溝道（雙）
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| FET 特點： |
邏輯電平門
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| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
30V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
25A，30A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
9.3 毫歐 @ 15A，10V
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| Id 時的 Vgs(th)（最大）： |
2.5V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
26nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
1100pF @ 15V
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| 功率 - 最大： |
22W，40W
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| 安裝類型： |
表面貼裝
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| 封裝/外殼： |
PowerPAK? SO-8 雙
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
PowerPAK? SO-8 Dual
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| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： |
SI7998DP-T1-GE3DKR
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