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參數(shù)資料
型號(hào): SI8405DB-T1-E3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數(shù): 9/9頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 3,000
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 12V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 3.6A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 55 毫歐 @ 1A,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 950mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 21nC @ 4.5V
功率 - 最大: 1.47W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 4-XFBGA,CSPBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 4-Microfoot
包裝: 帶卷 (TR)
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