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參數(shù)資料
型號: SI8417DB-T2-E1
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數(shù): 2/11頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 12V 14.5A 2X2 6MFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 3,000
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 12V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 14.5A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 21 毫歐 @ 1A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 900mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 57nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2220pF @ 6V
功率 - 最大: 6.57W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-MICRO FOOT?
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 6-Micro Foot?
包裝: 帶卷 (TR)
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