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參數(shù)資料
型號(hào): SI8441DB-T2-E1
廠商: Vishay Siliconix
文件頁(yè)數(shù): 8/9頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 20V 10.5A 2X2 6MFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 3,000
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 10.5A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 80 毫歐 @ 1A,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 700mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 13nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 600pF @ 10V
功率 - 最大: 13W
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-MICRO FOOT?
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 6-Micro Foot?
包裝: 帶卷 (TR)
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