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參數資料
型號: SI9407BDY-T1-E3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數: 9/10頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC
標準包裝: 2,500
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 4.7A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 120 毫歐 @ 3.2A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 600pF @ 30V
功率 - 最大: 5W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝: 8-SOICN
包裝: 帶卷 (TR)
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