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參數資料
型號: SI9933CDY-T1-E3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數: 8/10頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
標準包裝: 2,500
系列: TrenchFET®
FET 型: 2 個 P 溝道(雙)
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 4A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 58 毫歐 @ 4.8A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1.4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 665pF @ 10V
功率 - 最大: 3.1W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝: 8-SOICN
包裝: 帶卷 (TR)
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