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參數資料
| 型號： | SI9940DY |
| 英文描述： | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET |
| 中文描述： | 雙N溝道增強型MOSFET |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 234K |
| 代理商： | SI9940DY |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIP5 | LSI Assembly |
| SIPC265N10L | 100-V MOS transistors in S-FET technology( 采用S-FET 技術制作的 100-V MOS 型晶體管) |
| SJD00074BED | Silicon PNP epitaxial planar type |
| SK1010 | 10 Amp Schottky Rectifier 20 to 100 Volts |
| SK102 | 10 Amp Schottky Rectifier 20 to 100 Volts |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SI9942DY | 功能描述:MOSFET 20V 3/2.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI9942-DY | 制造商:SIL 功能描述: |
| SI9942DY-T1 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8-Pin SOIC N T/R |
| SI9945AEY | 功能描述:MOSFET 60V 3.7A 2.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI9945AEY-E3 | 功能描述:MOSFET 60V 3.7A 2.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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