型號: | SIA3329-5R6 |
元件分類: | 通用定值電感 |
英文描述: | 1 ELEMENT, 5.6 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
封裝: | CHIP, 3329M, ROHS COMPLIANT |
文件頁數: | 1/1頁 |
文件大小: | 201K |
代理商: | SIA3329-5R6 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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SIA3329-3R9 | 1 ELEMENT, 3.9 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
SIA3329-2R7 | 1 ELEMENT, 2.7 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
SIA3329-2R2 | 1 ELEMENT, 2.2 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
SIA3329-270 | 1 ELEMENT, 27 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
SIA3329-1R8 | 1 ELEMENT, 1.8 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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SIA400EDJ | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
SIA400EDJ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 12A 19.2W 19mOhms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SIA406DJ | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
SIA406DJ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 12V 4.5A 19W 19.8mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SIA408DJ | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |