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參數資料
型號: SIA432DJ-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數: 8/9頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6
產品目錄繪圖: SIA, SIB Series SC70-6, SC75-6
標準包裝: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 12A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 20 毫歐 @ 6A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 800pF @ 15V
功率 - 最大: 19.2W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? SC-70-6
供應商設備封裝: PowerPAK? SC-70-6 單
包裝: 標準包裝
產品目錄頁面: 1661 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: SIA432DJ-T1-GE3DKR
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