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參數資料
型號: SIA461DJ-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數: 5/9頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 20V 12A SC706L
標準包裝: 1
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 12A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 33 毫歐 @ 5.2A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 45nC @ 8V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 10V
功率 - 最大: 17.9W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? SC-70-6
供應商設備封裝: PowerPAK? SC-70-6 單
包裝: 標準包裝
其它名稱: SIA461DJ-T1-GE3DKR
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