| 型號： |
SIA511DJ-T1-GE3 |
| 廠商： |
Vishay Siliconix |
| 文件頁數(shù)： |
11/12頁 |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述： |
MOSFET N/P-CH 12V PWRPAK SC70-6 |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： |
Mosfet SC70-6, SC75-6 Package
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| 特色產(chǎn)品： |
Power MOSFETs in PowerPAK? SC-70 Package
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1 |
| FET 型： |
N 和 P 溝道
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| FET 特點(diǎn)： |
邏輯電平門
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| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
12V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
4.5A，4.3A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
40 毫歐 @ 4.2A，4.5V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： |
1V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
12nC @ 8V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
400pF @ 6V
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| 功率 - 最大： |
1.9W
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| 安裝類型： |
表面貼裝
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| 封裝/外殼： |
PowerPAK? SC-70-6 雙
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
PowerPAK? SC-70-6 雙
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| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： |
1666 (CN2011-ZH PDF)
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| 其它名稱： |
SIA511DJ-T1-GE3DKR
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