| 型號： | SIA811DJ-T1-GE3 |
| 廠商： | Vishay Siliconix |
| 文件頁數(shù)： | 8/12頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 二極管（隔離式） |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 94 毫歐 @ 2.8A，4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 8V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 355pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 6.5W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | PowerPAK? SC-70-6 雙 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | PowerPAK? SC-70-6 雙 |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |