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參數資料
型號: SIB452DK-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數: 3/9頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6
產品目錄繪圖: SIA, SIB Series SC70-6, SC75-6
標準包裝: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 190V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 1.5A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2.4 歐姆 @ 500mA,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 6.5nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 135pF @ 50V
功率 - 最大: 13W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? SC-75-6L
供應商設備封裝: PowerPAK? SC-75-6L 單
包裝: 標準包裝
產品目錄頁面: 1661 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: SIB452DK-T1-GE3DKR
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