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參數資料
型號: SIB914DK-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數: 2/9頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6
產品目錄繪圖: Mosfet SC70-6, SC75-6 Package
標準包裝: 1
FET 型: 2 個 N 溝道(雙)
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 8V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 1.5A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 113 毫歐 @ 2.5A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 800mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 2.6nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 125pF @ 4V
功率 - 最大: 1.1W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? SC-75-6L 雙
供應商設備封裝: PowerPAK? SC-75-6L 雙
包裝: 標準包裝
產品目錄頁面: 1663 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: SIB914DK-T1-GE3DKR
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