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參數資料
| 型號： | SIDC10D120H6 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | Fast switching diode chip in EMCON-Technology |
| 中文描述： | 快速開關二極管芯片快恢復技術 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 93K |
| 代理商： | SIDC10D120H6 |
Preliminary
SIDC10D120H6
Edited by INFINEON Technologies AI PS DD HV3, L 4412S, Edition 1, 8.01.2002
Fast switching diode chip in EMCON-Technology
FEATURES:
1200V EMCON technology 120 μm chip
soft, fast switching
low reverse recovery charge
small temperature coefficient
Chip Type
V
R
This chip is used for:
EUPEC power modules and
discrete devices
Applications:
SMPS, resonant applications,
drives
A
C
I
F
Die Size
Package
Ordering Code
Q67050-A4112-
A001
SIDC10D120H6
1200V
15A
3.2 x 3.2 mm
2
sawn on foil
MECHANICAL PARAMETER:
Raster size
3.2 x 3.2
Area total / active
10.24 / 6.5
Anode pad size
2.48 x 2.48
mm
2
Thickness
120
μm
Wafer size
150
mm
Flat position
180
deg
Max. possible chips per wafer
1480 pcs
Passivation frontside
Photoimide
Anode metallisation
3200 nm AlSiCu
Cathode metallisation
1400 nm Ni Ag –system
suitable for epoxy and soft solder die bonding
Die bond
electrically conductive glue or solder
Wire bond
Al,
≤
500μm
Reject Ink Dot Size
0.65mm ; max 1.2mm
store in original container, in dry nitrogen,
< 6 month at an ambient temperature of 23°C
Recommended Storage Environment
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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