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參數資料
| 型號： | SIDC14D120E |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 15 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封裝： | DIE |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | SIDC14D120E |
Preliminary
SIDC14D120E
Edited by INFINEON technologies AI IP DD HV2, L 4172F, Edition 1, 30.08.2000
Fast switching diode chip in EMCON-Technology
This chip is used for:
EUPEC power modules and
discrete devices
FEATURES:
1200V EMCON technology 130 μm chip
soft , fast switching
low reverse recovery charge
small temperature coefficient
Applications:
SMPS, resonant applications,
drives
A
C
Chip Type
V
CE
I
Cn
Die Size
3.80 x 3.80 mm
2
Package
Ordering Code
SIDC14D120E
1200V
15A
sawn on foil
C67047-A4677
MECHANICAL PARAMETER:
Raster size
3.80 x 3.80
Area total / active
14.44 / 9.80
Anode pad size
2.38 x 2.38
mm
2
Thickness
130
μm
Wafer size
125
mm
Flat position
180
deg
Max. possible chips per wafer
704
Passivation frontside
Photoimide
Anode metalization
3200 nm Al Si 1%
Cathode metalization
1400 nm Ni Ag –system
suitable for epoxy and soft solder die bonding
Die bond
electrically conductive glue or solder
Wire bond
Al,
≤
500μm
Reject Ink Dot Size
tbd
Recommended Storage Environment
store in original container, in dry nitrogen,
< 6 month
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIHF640L-E3 | 18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
| SIHF640STR-E3 | 18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| SIHF730S-E3 | 5.5 A, 400 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| SIHF830-E3 | 4.5 A, 500 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| SIHFP260-E3 | 46 A, 200 V, 0.055 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SIDC14D120E6 | 功能描述:DIODE FAST SW 1200V 15A WAFER RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| SIDC14D120F6 | 功能描述:DIODE FAST SW 1200V 15A WAFER RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| SIDC14D120H6 | 功能描述:DIODE FAST SW 1200V 25A WAFER RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| SIDC14D60C6 | 功能描述:DIODE FAST SW 600V 50A WAFER RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| SIDC14D60C6_07 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast switching diode chip in EMCON 3 -Technology small temperature coefficient |
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