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參數(shù)資料
| 型號： | SIDC24D30SIC3 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | Silicon Carbide Schottky Diode |
| 中文描述： | 碳化硅肖特基二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 54K |
| 代理商： | SIDC24D30SIC3 |
SIDC24D30SIC3
Edited by INFINEON Technologies, AI PS DD HV3, Edition 1, 22.04.2004
Silicon Carbide Schottky Diode
FEATURES:
Revolutionary semiconductor material -
Silicon Carbide
Switching behavior benchmark
No reverse recovery
No temperature influence on the switching
behavior
No forward recovery
Chip Type
Applications:
SMPS, snubber, secondary side
rectification
A
C
V
BR
I
F
Die Size
Package
Ordering Code
Q67050-A4163-
A103
SIDC24D30SIC3
300V
10A
1.706 x 1.38 mm
2
sawn on foil
MECHANICAL PARAMETER:
Raster size
1.706x 1.38
Anode pad size
1.405 x 1.08
mm
Area total / active
2.354 / 1.548
mm
2
Thickness
355
μm
Wafer size
75
mm
Flat position
0
deg
Max. possible chips per wafer
1649 pcs
Passivation frontside
Photoimide
Anode metalization
3200 nm Al
Cathode metalization
1400 nm Ni Ag –system
suitable for epoxy and soft solder die bonding
Die bond
Electrically conductive glue or solder
Wire bond
Al,
≤
350μm
Reject Ink Dot Size
≥
0.3 mm
Recommended Storage Environment
store in original container, in dry nitrogen,
< 6 month at an ambient temperature of 23°C
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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