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參數(shù)資料
型號(hào): SIE804DF-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁(yè)數(shù): 4/10頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述: MOSFET N-CH D-S 150V POLARPAK
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 3,000
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 150V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 37A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 38 毫歐 @ 7.6A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 105nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 3000pF @ 50V
功率 - 最大: 125W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 10-PolarPAK?(SH)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 10-PolarPAK?(SH)
包裝: 帶卷 (TR)
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