| 型號： | SIE836DF-T1-GE3 |
| 廠商： | Vishay Siliconix |
| 文件頁數： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 200V POLARPAK |
| 標準包裝： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 200V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C： | 18.3A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 130 毫歐 @ 4.1A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 41nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 1200pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 104W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 10-PolarPAK?（SH） |
| 供應商設備封裝： | 10-PolarPAK?（SH） |
| 包裝： | 標準包裝 |
| 其它名稱： | SIE836DF-T1-GE3DKR |