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參數資料
| 型號： | SIH31-06 |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 150 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 200K |
| 代理商： | SIH31-06 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SF30SC3L-4100 | 30 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SR130H02-5 | 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| SR160H09 | 1 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| SR350H33 | 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| SR350M23 | 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SIHB10N40D-GE3 | 功能描述:MOSFET 400V 600mOhm@10V 10A N-Ch D-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SIHB12N50C-E3 | 功能描述:MOSFET N-Channel 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SIHB12N60E | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:E Series Power MOSFET |
| SiHB12N60E-GE3 | 功能描述:MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SIHB12N60E-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N CH 600V 12A TO-263-3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET, N CH, 600V, 12A, TO-263-3 |
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