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參數資料
型號: SIHB30N60E-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數: 6/9頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
標準包裝: 50
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 600V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 29A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 125 毫歐 @ 15A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2600pF @ 100V
功率 - 最大: 250W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝: D²PAK
包裝: 管件
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