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參數(shù)資料
型號: SIHG24N65E-E3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數(shù): 1/8頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 25
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 24A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 145 毫歐 @ 12A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 122nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2740pF @ 100V
功率 - 最大: 250W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-247-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-247AC
包裝: 管件
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