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參數資料
型號: SIHP7N60E-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數: 7/8頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N CH 600V 7A TO-220AB
標準包裝: 1,000
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 600V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 7A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 600 毫歐 @ 3.5A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 680pF @ 100V
功率 - 最大: 78W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3
供應商設備封裝: TO-220AB
包裝: 散裝
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