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參數(shù)資料
型號: SIHU3N50D-E3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數(shù): 1/8頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 3A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3.2 歐姆 @ 2.5A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 175pF @ 100V
功率 - 最大: 104W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-251AA
包裝: 剪切帶 (CT)
其它名稱: SIHU3N50D-E3CT
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