| 型號： |
SIR470DP-T1-GE3 |
| 廠商： |
Vishay Siliconix |
| 文件頁數(shù)： |
8/9頁 |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述： |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SOIC |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： |
DP-T1-(G)E3 Series 8-SOIC
|
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1 |
| FET 型： |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
|
| FET 特點： |
標(biāo)準(zhǔn)
|
| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
40V
|
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
60A
|
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
2.3 毫歐 @ 20A，10V
|
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： |
2.5V @ 250µA
|
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
155nC @ 10V
|
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
5660pF @ 20V
|
| 功率 - 最大： |
104W
|
| 安裝類型： |
表面貼裝
|
| 封裝/外殼： |
PowerPAK? SO-8
|
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
PowerPAK? SO-8
|
| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： |
1663 (CN2011-ZH PDF)
|
| 其它名稱： |
SIR470DP-T1-GE3DKR
|