| 型號： | SIRA10DP-T1-GE3 |
| 廠商： | Vishay Siliconix |
| 文件頁數(shù)： | 6/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 30A SO-8 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 30A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.7 毫歐 @ 10A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 51nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 2425pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 40W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | PowerPAK? SO-8 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | PowerPAK? SO-8 |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： | SIRA10DP-T1-GE3DKR |