| 型號： | SIS426DN-T1-GE3 |
| 廠商： | Vishay Siliconix |
| 文件頁數(shù)： | 7/13頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8 |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： | DN-T1-E3 Series 1212-8 |
| 特色產(chǎn)品： | N-Channel TrenchFET? Gen III Power MOSFETs with TurboFET? |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 35A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.2 毫歐 @ 10A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 42nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 1570pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 52W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | PowerPAK? 1212-8 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | PowerPAK? 1212-8 |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 1660 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | SIS426DN-T1-GE3DKR |