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參數(shù)資料
型號: SIS456DN-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數(shù): 8/13頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK
標準包裝: 1
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 35A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 5.1 毫歐 @ 20A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1800pF @ 15V
功率 - 最大: 52W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? 1212-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PowerPAK? 1212-8
包裝: 標準包裝
其它名稱: SIS456DN-T1-GE3DKR
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