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參數資料
型號: SIS902DN-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數: 8/8頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH D-S 75V 1212-8 PPAK
標準包裝: 1
系列: TrenchFET®
FET 型: 2 個 N 溝道(雙)
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 75V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 4A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 186 毫歐 @ 3A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 6nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 175pF @ 38V
功率 - 最大: 15.4W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? 1212-8 雙
供應商設備封裝: PowerPAK? 1212-8 Dual
包裝: 標準包裝
其它名稱: SIS902DN-T1-GE3DKR
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