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參數(shù)資料
型號: SISA10DN-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數(shù): 2/13頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 30A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3.7 毫歐 @ 10A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 51nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2425pF @ 15V
功率 - 最大: 39W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? 1212-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PowerPAK? 1212-8
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: SISA10DN-T1-GE3DKR
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