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1EDI30J12-CL

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1EDI30J12-CL
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
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SOP16
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1EDI30J12-CL
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區華強北華強花園B9F
11630
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1EDI30J12-CL PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

1EDI30J12-CL 技術參數

1EDI30I12MHXUMA1 功能描述:IC IGBT DVR 1200V 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:EiceDriver? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售驅動配置:高壓側或低壓側通道類型:單路驅動器數:1 柵極類型:IGBT 電壓 - 電源:13 V ~ 18 V 邏輯電壓?- VIL，VIH:1.5V，3.5V 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）:5.2A，4.5A 輸入類型:非反相高壓側電壓 - 最大值（自舉）:1200V 上升/下降時間（典型值）:10ns，9ns 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）供應商器件封裝:8-DSO 標準包裝:1 1EDI30I12MFXUMA1 功能描述:High-Side or Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting PG-DSO-8-51 制造商:infineon technologies 系列:EiceDriver? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售驅動配置:高壓側或低壓側通道類型:單路驅動器數:1 柵極類型:IGBT 電壓 - 電源:13 V ~ 18 V 邏輯電壓?- VIL，VIH:1.5V，3.5V 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）:5.9A，6.2A 輸入類型:反相，非反相高壓側電壓 - 最大值（自舉）:1200V 上升/下降時間（典型值）:9ns，6ns 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:PG-DSO-8-51 標準包裝:1 1EDI20N12AFXUMA1 功能描述:IC IGBT DVR 1200V DSO8 制造商:infineon technologies 系列:EiceDriver? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效驅動配置:高壓側或低壓側通道類型:單路驅動器數:1 柵極類型:N 溝道 MOSFET 電壓 - 電源:10 V ~ 35 V 邏輯電壓?- VIL，VIH:1.5V，3.5V 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）:4A，3.5A 輸入類型:反相，非反相高壓側電壓 - 最大值（自舉）:1200V 上升/下降時間（典型值）:10ns，9ns 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:PG-DSO-8-51 標準包裝:1 1EDI20I12SVXUMA1 功能描述:IC GATE DRIVER HVIC DSO36 制造商:infineon technologies 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1,000 1EDI20I12MHXUMA1 功能描述:IC IGBT DVR 1200V 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:EiceDriver? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售驅動配置:高壓側或低壓側通道類型:單路驅動器數:1 柵極類型:IGBT 電壓 - 電源:13 V ~ 18 V 邏輯電壓?- VIL，VIH:1.5V，3.5V 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）:3.5A，3.2A 輸入類型:非反相高壓側電壓 - 最大值（自舉）:1200V 上升/下降時間（典型值）:10ns，9ns 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）供應商器件封裝:8-DSO 標準包裝:1 1EDN7511BXTSA1 1EDN7512BXTSA1 1EDN7512GXTMA1 1EDN8511BXTSA1 1EDP 1EDS20I12SVXUMA1 1EDU20I12SVXUMA1 1EEA2 1EEAP 1EEB2 1EEJ2 1EF1F 1EF2F 1EGG1-1 1EGG1-2 1EGG1C-1 1EGG1C-2 1EGG8-1