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1N1183RB

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  • 1N1183R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 50V 35A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn)型， 反極性 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:35A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 35A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類(lèi)型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱 供應(yīng)商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 190°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 1N1183AR 功能描述:DIODE GEN PURP REV 50V 40A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn)型， 反極性 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 40A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類(lèi)型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱 供應(yīng)商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 200°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 1N1183A 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 40A DO203AB 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 40A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類(lèi)型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱 供應(yīng)商器件封裝:DO-203AB 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 200°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 1N1183 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 35A DO203AB 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:35A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 35A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類(lèi)型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱 供應(yīng)商器件封裝:DO-203AB 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 190°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 1N1128RA 功能描述:STANDARD RECTIFIER 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N1186A 1N1186AR 1N1186R 1N1187 1N1187A 1N1187AR 1N1187R 1N1188 1N1188A 1N1188AR 1N1188R 1N1189 1N1189A 1N1189AR 1N1189R 1N1190 1N1190A 1N1190AR
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