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1N1184RB

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1N1184RB 技術參數

1N1184R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 100V 35A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準型，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:35A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 35A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 190°C 標準包裝:5 1N1184AR 功能描述:DIODE GEN PURP REV 100V 40A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準型，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 40A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 200°C 標準包裝:5 1N1184A 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 40A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 40A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 200°C 標準包裝:5 1N1184 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:35A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 35A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 190°C 標準包裝:5 1N1183R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 50V 35A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準型，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:35A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 35A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 190°C 標準包裝:5 1N1187A 1N1187AR 1N1187R 1N1188 1N1188A 1N1188AR 1N1188R 1N1189 1N1189A 1N1189AR 1N1189R 1N1190 1N1190A 1N1190AR 1N1190R 1N1191 1N1191A 1N1192