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1N3022

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  • 操作
  • 1N3022BJAN
    1N3022BJAN

    1N3022BJAN

  • 標準國際(香港)有限公司
    標準國際(香港)有限公司

    聯系人:朱小姐

    電話:83617149

    地址:新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質:營業執照

  • 30

  • MSC

  • -
  • 公司現貨,只做原裝!

  • 1N3022B
    1N3022B

    1N3022B

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • IR

  • DO-13

  • 最新批號

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  • 1N3022
    1N3022

    1N3022

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 3000

  • SSI

  • 原廠封裝

  • 08+

  • -
  • 1N3022BJAN
    1N3022BJAN

    1N3022BJAN

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:13428937514

    地址:門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質:營業執照

  • 30

  • MSC

  • -
  • 公司現貨,只做原裝!

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  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • 1 WATT METAL CASE ZENER DIODES
1N3022 技術參數
  • 1N3021BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 11V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):11V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):8 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 8.4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB,MELF 供應商器件封裝:DO-213AB 標準包裝:1 1N3021B-1 功能描述:DIODE ZENER 11V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):11V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):8 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 8.4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:1 1N3020BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 10V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):10V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):7 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 7.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB,MELF 供應商器件封裝:DO-213AB 標準包裝:1 1N3020B-1 功能描述:DIODE ZENER 10V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):10V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):7 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 7.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:1 1N3019BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):6 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 6.9V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB,MELF 供應商器件封裝:DO-213AB 標準包裝:1 1N3026BUR-1 1N3027B-1 1N3027BUR-1 1N3028B-1 1N3028BUR-1 1N3029B-1 1N3029BUR-1 1N3030B-1 1N3030BUR-1 1N3031B-1 1N3031BUR-1 1N3032B-1 1N3032BUR-1 1N3033B-1 1N3033BUR-1 1N3034B-1 1N3034BUR-1 1N3035B-1
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