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1N3066

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1N3066 技術參數

1N3064TR 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 10mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:2pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:1 1N3064_T50R 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 10mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:2pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:30,000 1N3064 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 75MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:75mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 75mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AA，DO-7，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 125°C 標準包裝:1 1N3051BUR-1 1N3051B-1 1N3155A 1N3155AE3 1N3155UR-1 1N3156 1N3156-1 1N3156UR-1 1N3157-1 1N3157UR-1 1N3161 1N3161R 1N3162 1N3162R 1N3163 1N3163R 1N3164 1N3164R 1N3165 1N3165R