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1N3611GPHE3/54

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 1N3611GPHE3/54
    1N3611GPHE3/54

    1N3611GPHE3/54

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:駱小姐

    電話:18124020586

    地址:深圳市龍崗區雅寶路1號星河world, A棟2203A

  • 88933

  • Vishay General Semiconduc

  • DO-204AL, DO-41, Axi

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
1N3611GPHE3/54 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 整流器 200 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 產品
  • Standard Recovery Rectifiers
  • 配置
  • 反向電壓
  • 100 V
  • 正向電壓下降
  • 恢復時間
  • 1.2 us
  • 正向連續電流
  • 2 A
  • 最大浪涌電流
  • 35 A
  • 反向電流 IR
  • 5 uA
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • DO-221AC
  • 封裝
  • Reel
1N3611GPHE3/54 技術參數
  • 1N3611GP-E3/73 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:3,000 1N3611GP-E3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N3611 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A,軸向 供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N3600 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N3595US 功能描述:DIODE GEN PURP 4A DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):- 電流 - 平均整流(Io):4A(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 200mA 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):3μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1nA @ 125V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N3612GP-M3/73 1N3613 1N3613GP-E3/54 1N3613GP-E3/73 1N3613GPHE3/54 1N3613GPHE3/73 1N3613GP-M3/54 1N3613GP-M3/73 1N3614 1N3614GP-M3/54 1N3614GP-M3/73 1N3643 1N3644 1N3645 1N3646 1N3647 1N3671 1N3671A
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