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1N3766TR

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1N3766TR 技術參數

1N3766R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 800V 35A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準型，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:35A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 35A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 190°C 標準包裝:5 1N3766 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 35A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:35A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 35A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 190°C 標準包裝:5 1N3765R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 700V 35A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準型，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:700V 電流 - 平均整流（Io）:35A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 35A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 190°C 標準包裝:5 1N3765 功能描述:DIODE GEN PURP 700V 35A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:700V 電流 - 平均整流（Io）:35A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 35A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 190°C 標準包裝:5 1N3744R 功能描述:DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205 制造商:powerex inc. 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1400V（1.4kV）電流 - 平均整流（Io）:250A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 250A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:- 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-205AB，DO-9，接線柱供應商器件封裝:- 工作溫度 - 結:-40°C ~ 200°C 標準包裝:1 1N3823A-1 1N3823AUR-1 1N3824A-1 1N3824AUR-1 1N3825A-1 1N3825AUR-1 1N3826A-1 1N3826AUR-1 1N3827A-1 1N3827AUR-1 1N3828A-1 1N3879 1N3879R 1N3880 1N3880R 1N3881 1N3881R 1N3882