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1N3785B

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1N3785B 技術(shù)參數(shù)
  • 1N3779 1N3768R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 1KV 35A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn)型， 反極性 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV） 電流 - 平均整流（Io）:35A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 35A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱 供應(yīng)商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 190°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 1N3768 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 35A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV） 電流 - 平均整流（Io）:35A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 35A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱 供應(yīng)商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 190°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 1N3767R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 900V 35A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn)型， 反極性 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:900V 電流 - 平均整流（Io）:35A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 35A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱 供應(yīng)商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 190°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 1N3767 功能描述:DIODE GEN PURP 900V 35A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:900V 電流 - 平均整流（Io）:35A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 35A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱 供應(yīng)商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 190°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 1N3825A-1 1N3825AUR-1 1N3826A-1 1N3826AUR-1 1N3827A-1 1N3827AUR-1 1N3828A-1 1N3879 1N3879R 1N3880 1N3880R 1N3881 1N3881R 1N3882 1N3882R 1N3883 1N3883R 1N3889
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