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1N3879RJANTX

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1N3879RJANTX 技術參數

1N3879R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 50V 6A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準型，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:15μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應商器件封裝:DO-4 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:5 1N3879 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 6A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:15μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應商器件封裝:DO-4 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:5 1N3828A-1 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:2 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:1 1N3827AUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N3827A-1 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:5 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:1 1N3889R 1N3890 1N3890A 1N3890AR 1N3890R 1N3891 1N3891A 1N3891AR 1N3891R 1N3892 1N3892A 1N3892AR 1N3892R 1N3893 1N3893A 1N3893AR 1N3893R 1N3899