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1N3O64JAN 技術參數

1N3999A 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N3999 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N3998A 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 10W DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:1.1 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應商器件封裝:DO-213AA（DO-4）標準包裝:1 1N3998 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N3997RA 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N4001E-E3/54 1N4001E-E3/73 1N4001G 1N4001-G 1N4001G A0G 1N4001G B0G 1N4001G BK 1N4001G R0G 1N4001G R1G 1N4001GHA0G 1N4001GHB0G 1N4001GHR0G 1N4001GHR1G 1N4001GL-T 1N4001GP 1N4001GP-E3/54 1N4001GP-E3/73 1N4001GPE-E3/54

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