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1N4230

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  • 1N4230
    1N4230

    1N4230

  • 深圳市科思奇電子科技有限公司
    深圳市科思奇電子科技有限公司

    聯(lián)系人:林小姐/歐陽先生

    電話:0755-832450508278593918923762408微信同號(hào)

    地址:深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)501棟1109-1110室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • MICROSEMI

  • 原廠原裝

  • 23+

  • -
  • 只做原裝正品

  • 1N4230
    1N4230

    1N4230

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 86530

  • MICROSEMI

  • MODULE

  • 最新批號(hào)

  • -
  • 代理此型號(hào),原裝正品現(xiàn)貨!!

  • 1N4230
    1N4230

    1N4230

  • 深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
    深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司

    聯(lián)系人:銷售經(jīng)理:馬先生

    電話:0755-8335078918923859456

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)中航路都會(huì)B座10012M

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 26550

  • MICROSEMI

  • 正品封裝

  • 23+

  • -
  • 正規(guī)商現(xiàn)貨供應(yīng)

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1N4230 技術(shù)參數(shù)
  • 1N4154TR_S00Z 功能描述:DIODE GEN PURP 35V 100MA DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):35V 電流 - 平均整流(Io):100mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1V @ 30mA 速度:小信號(hào) =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):4ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 25V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:4pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):175°C(最大) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N4154TR 功能描述:DIODE GEN PURP 35V 100MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):35V 電流 - 平均整流(Io):100mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1V @ 30mA 速度:小信號(hào) =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):4ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 25V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:4pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):175°C(最大) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N4154TAP 功能描述:DIODE GEN PURP 25V 150MA DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):25V 電流 - 平均整流(Io):150mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1V @ 30mA 速度:小信號(hào) =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):4ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 25V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:4pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N4154_T50R 功能描述:DIODE GEN PURP 35V 100MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):35V 電流 - 平均整流(Io):100mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1V @ 30mA 速度:小信號(hào) =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):4ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 25V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:4pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):175°C(最大) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30,000 1N4154 功能描述:DIODE GEN PURP 35V 200MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):35V 電流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1V @ 30mA 速度:小信號(hào) =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):2ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 25V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:4pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4246GP-M3/73 1N4247 1N4247GP-E3/54 1N4247GP-E3/73 1N4247GPHE3/54 1N4247GPHE3/73 1N4247GP-M3/54 1N4247GP-M3/73 1N4248 1N4248GP-E3/54 1N4248GP-E3/73 1N4248GPHE3/54 1N4248GPHE3/73 1N4248GP-M3/54 1N4248GP-M3/73 1N4249 1N4249GP-E3/54 1N4249GP-E3/73
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