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1N4448AMO

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1N4448AMO 技術參數

1N4448-A 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:生命周期結束二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:500mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 10mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 時的電容:4pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:10,000 1N4448_T50R 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 時的電容:2pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:10,000 1N4448_T50A 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 時的電容:2pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 1N4448_T26A 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 時的電容:2pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 1N4448_S00Z 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態:停產二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 時的電容:2pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:2,000 1N4448TR_S00Z 1N4448W RHG 1N4448W-7 1N4448W-7-F 1N4448W-E3-08 1N4448W-E3-18 1N4448W-G3-08 1N4448W-G3-18 1N4448W-HE3-08 1N4448W-HE3-18 1N4448WQ-7-F 1N4448WS 1N4448WS RRG 1N4448WS-7 1N4448WS-7-F 1N4448WS-E3-08 1N4448WS-E3-18 1N4448WSF-7