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1N4590RA

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1N4590RA
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
86530
MICROSEMI
MODULE
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1N4590RA 技術參數

1N4590R 功能描述:DIODE GEN REV 400V 150A DO205AA 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準型，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:150A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 150A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:9mA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-205AA，DO-8，接線柱供應商器件封裝:DO-205AA（DO-8）工作溫度 - 結:-60°C ~ 200°C 標準包裝:10 1N4590 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 150A DO205AA 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:150A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 150A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:9mA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-205AA，DO-8，接線柱供應商器件封裝:DO-205AA（DO-8）工作溫度 - 結:-60°C ~ 200°C 標準包裝:10 1N459_T50R 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:500mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25nA @ 175V 不同?Vr，F 時的電容:6pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:1 1N459 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:500mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25nA @ 175V 不同?Vr，F 時的電容:6pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:2,000 1N458ATR 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 500MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:500mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 125V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:1 1N4595R 1N4596 1N4596R 1N459A 1N459A_L99Z 1N459A_S00Z 1N459A_T50R 1N459ATR 1N459-T50R 1N459TR 1N4607 1N4608 1N4614 BK 1N4614 TR 1N4614-1 1N4614UR 1N4615 BK 1N4615 TR