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1N4706ST

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1N4706ST 技術參數
  • 1N4706 TR 功能描述:DIODE ZENER 19V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):19V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 14.4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N4706 (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 19V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):19V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 14.4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N4706 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 1N4705UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 1N4705 TR 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 13.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N4708 TR 1N4708UR-1 1N4709 (DO35) 1N4709 BK 1N4709 TR 1N4709UR-1 1N4710 1N4710 (DO35) 1N4710 BK 1N4710 TR 1N4710UR-1 1N4711 1N4711 (DO35) 1N4711 BK 1N4711 TR 1N4711UR-1 1N4712 1N4712 (DO35)
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