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1N4729(1W3V6)

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1N4729(1W3V6) 技術(shù)參數(shù)
  • 1N4729 G 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):3.6V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4728UR-1 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):3.3V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB,MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4728G R0G 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TA) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N4728G A0G 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TA) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1N4728AUR 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB,MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4729AP/TR12 1N4729AP/TR8 1N4729APE3/TR12 1N4729APE3/TR8 1N4729A-T 1N4729ATA 1N4729A-TAP 1N4729A-TP 1N4729ATR 1N4729A-TR 1N4729AUR 1N4729CE3/TR13 1N4729CP/TR12 1N4729CP/TR8 1N4729CPE3/TR12 1N4729CPE3/TR8 1N4729E3/TR13 1N4729G A0G
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