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1N4754/39V

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    1N4754/39V

  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯(lián)系人:彭先生

    電話:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田區(qū)華強北都會大廈A座19樓19G

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1N4754/39V 技術(shù)參數(shù)
  • 1N4754 G 功能描述:DIODE ZENER 39V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):39V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):60 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 29.7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:1 1N4753PE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 36V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):36V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):50 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 27.4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:1,500 1N4753PE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 36V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):36V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):50 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 27.4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:4,000 1N4753P/TR8 功能描述:DIODE ZENER 36V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):36V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):50 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 27.4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:1,500 1N4753P/TR12 功能描述:DIODE ZENER 36V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):36V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):50 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 27.4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:4,000 1N4754A_T50R 1N4754AE3/TR13 1N4754AG 1N4754AHA0G 1N4754AHB0G 1N4754AHR0G 1N4754AHR1G 1N4754AP/TR12 1N4754AP/TR8 1N4754APE3/TR12 1N4754APE3/TR8 1N4754A-T 1N4754A-T50A 1N4754ATA 1N4754A-TAP 1N4754A-TP 1N4754A-TR 1N4754AUR
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