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1N4757AM

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

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1N4757AM 技術參數
  • 1N4757AHR1G 功能描述:DIODE ZENER 51V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):51V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 38.8V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:5,000 1N4757AHR0G 功能描述:DIODE ZENER 51V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):51V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 38.8V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:5,000 1N4757AHB0G 功能描述:DIODE ZENER 51V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):51V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 38.8V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:1,000 1N4757AHA0G 功能描述:DIODE ZENER 51V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):51V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 38.8V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:3,000 1N4757AE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 51V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):51V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):95 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 38.8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:5,000 1N4757AUR 1N4757CE3/TR13 1N4757CP/TR12 1N4757CP/TR8 1N4757CPE3/TR12 1N4757CPE3/TR8 1N4757E3/TR13 1N4757G A0G 1N4757G R0G 1N4757P/TR12 1N4757P/TR8 1N4757PE3/TR12 1N4757PE3/TR8 1N4758 G 1N4758A 1N4758A A0G 1N4758A B0G 1N4758A BK
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