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1N4757T/B

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1N4757T/B
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業執照
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EIC
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1N4757T/B 技術參數

1N4757PE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 51V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:51V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:95 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 38.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:1,500 1N4757PE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 51V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:51V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:95 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 38.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:4,000 1N4757P/TR8 功能描述:DIODE ZENER 51V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:51V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:95 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 38.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:1,500 1N4757P/TR12 功能描述:DIODE ZENER 51V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:51V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:95 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 38.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:4,000 1N4757G R0G 功能描述:DIODE ZENER 51V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:95 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 38.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TA）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:5,000 1N4758A_T50A 1N4758A_T50R 1N4758AE3/TR13 1N4758AHA0G 1N4758AHB0G 1N4758AHR0G 1N4758AHR1G 1N4758AP/TR12 1N4758AP/TR8 1N4758APE3/TR12 1N4758APE3/TR8 1N4758A-T 1N4758A-T50A 1N4758ATA 1N4758A-TAP 1N4758A-TP 1N4758A-TR 1N4758AUR