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1N4758APE3/TR8

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • 1.0W, VZ = 56V, ? 5% - Tape and Reel
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • DIODE ZENER 1.0W 56V 5% DO41
1N4758APE3/TR8 技術參數
  • 1N4758APE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 56V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):56V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):110 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 42.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:4,000 1N4758AP/TR8 功能描述:DIODE ZENER 56V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):56V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):110 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 42.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:1,500 1N4758AP/TR12 功能描述:DIODE ZENER 56V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):56V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):110 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 42.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:4,000 1N4758AHR1G 功能描述:DIODE ZENER 56V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):56V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):110 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 42.6V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:5,000 1N4758AHR0G 功能描述:DIODE ZENER 56V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):56V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):110 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 42.6V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:5,000 1N4758CP/TR8 1N4758CPE3/TR12 1N4758CPE3/TR8 1N4758E3/TR13 1N4758G A0G 1N4758G R0G 1N4758P/TR12 1N4758P/TR8 1N4758PE3/TR12 1N4758PE3/TR8 1N4759 G 1N4759A A0G 1N4759A B0G 1N4759A BK 1N4759A G 1N4759A R0G 1N4759A R1G 1N4759A TR
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